模拟电子技术基础第四版童诗白华成英主编课后习题答案详解

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　　模拟电子技术基础(第四版)课后习题答案预览：第一章常用半导体器件

　　自测题

　　一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

　　(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( )

　　(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( )

　　(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( )

　　(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( )

　　(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的.耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。( )

　　(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。( )

　　解：(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×

　　二、选择正确答案填入空内。

　　(1)PN结加正向电压时，空间电荷区将。

　　A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽

　　(2)设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。 A. ISeU B. TUUIeS C. IS(eU UT-1)

　　(3)稳压管的稳压区是其工作在。

　　A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

　　(4)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

　　A. 前者反偏、后者也反偏

　　B. 前者正偏、后者反偏

　　C. 前者正偏、后者也正偏

　　(5)UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

　　A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管

　　解：(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C

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