半导体物理试题及答案

半导体物理试题及答案

　　半导体物理是一门专业性比较强的课程，要学好这门课程，同学们还是要用心去学才能学好半导体物理。下面是阳光网小编给大家整理的半导体物理试题及答案，欢迎大家学习参考。

　　半导体物理试题及答案

　　一、解释下列概念：(20 分)

　　1、霍尔效应：

　　2、共有化运动

　　3、杂质补偿

　　4、肖特基势垒

　　5、 非平衡载流 子寿命

　　二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。(10 分)

　　三、简述产生半导体激光的基本条件。(10 分)

　　四、简述半导体光吸收的.主要物理过程，并在能带示意图上定性表示之。(10 分)

　　五、试述什么是简并、 非简并半导体;给出非简并、弱简并及简并半导体的区分标准， 并说明其含义。(15 分)

　　六、请解释迁移 率概念，并说明对于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素。(15 分)

　　七、请定性画出n-n 型异质结平衡 时能带图，并给予简要解释。(15 分)

　　八、 用n 型Si 衬底制成MOS 电容，解释该结构在积累、耗尽、弱 反型、强反型下的 电容值变化规律，并画出高频、低频的C-V 曲线。(15 分)

　　九、 在半导体硅材料中掺 入施主杂质浓度 N D = 10 15 /cm 3 ，受主杂质浓度 N A = 4× 10 14 /cm 3 ;设室温下本征硅材料的电 阻率? i =2.2×10 5 ?.cm，假设电子和空穴的迁 移率分别为? n = 1350cm 2 /(V.S), ? p = 500cm 2 /(V.S)，不考虑杂质浓度对迁移率的影 响，求掺杂样品的电导率。(20 分) 十、 施主浓度N D = 10 16 /cm 3 的n 型单晶硅片，求室温下功函数是多少?若忽略表面 态的影响，当它同金属 Al、Au、Mo 接触时， 分别形成何种接触?并定性画出 该n 型硅与金属Al

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